SI2312BDS-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

3.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

31 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

4.5 V

Qg - Carica cancello:

7.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.75 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.45 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

SI2

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

1.6 mm

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

30 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9 ns

Parte # Alias:

SI2312BDS-GE3

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

SI2312BDS-T, SI2312BDS, SI2312B, SI2312, SI231, SI23, SI2