IXTY1R6N50D2-TRL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

RoHS:

Y

Prodotto:

Moduli MOSFET di potenza

Tipo:

Modalità di esaurimento

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Configurazione:

Separare

Marca:

IXYS

Polarità del transistor:

Canale N

Tempo di caduta:

41 ns

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Tipologia di prodotto:

Moduli a semiconduttore discreti

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.3 Ohms

Ora di alzarsi:

70 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

Moduli a semiconduttore discreti

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

25 ns

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

500 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 4.5 V

Tags

IXTY1R6N50D, IXTY1R6N5, IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT