IXTY1R6N100D2

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

IXYS

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-252-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

1.6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

10 Ohms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

27 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

100 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Altezza:

2.38 mm

Lunghezza:

6.22 mm

Serie:

IXTY1R6N100

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Modalità di esaurimento MOSFET

Larghezza:

6.73 mm

Marca:

IXYS

Transconduttanza diretta - Min:

0.65 S

Tempo di caduta:

41 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

65 ns

Quantità confezione di fabbrica:

70

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

27 ns

Unità di peso:

0.012346 oz

Tags

IXTY1R6, IXTY1R, IXTY1, IXTY, IXT