DMN2011UFX-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

V-DFN2050-4

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

12.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

13 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

300 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Qg - Carica cancello:

56 nC, 56 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN2011

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

13.5 ns, 13.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

2.6 ns, 2.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

21.6 ns, 21.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.6 ns, 3.6 ns

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DMN2011UF, DMN2011, DMN201, DMN20, DMN2, DMN