DSS20200L-7

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 20 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 180 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

DSS202

Guadagno di corrente CC hFE Max:

250 at 10 mA, 2 V

Altezza:

1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

150 at - 2 A, - 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

DSS20200, DSS202, DSS20, DSS2, DSS