IRG8P15N120KDPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-247AC-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

1200 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.7 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

30 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

30 A

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

15 A

Marca:

Infineon / IR

Corrente di dispersione gate-emettitore:

100 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

25

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

SP001537680

Tags

IRG8P1, IRG8P, IRG8, IRG