R6015ENZC8

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-3PF-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

260 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

40 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

120 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

Super Junction-MOS EN

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

4 S

Tempo di caduta:

45 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 ns

Quantità confezione di fabbrica:

360

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

105 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Parte # Alias:

R6015ENZ

Unità di peso:

0.000353 oz

Tags

R6015E, R6015, R601, R60