R6015KNJTL

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TO-263-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

600 V

Id - Corrente di scarico continua:

15 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

260 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

27.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

184 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

Super Junction-MOS KN

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

4 S

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

30 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

50 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

30 ns

Parte # Alias:

R6015KNJ

Unità di peso:

0.077603 oz

Tags

R6015K, R6015, R601, R60