SI4501BDY-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V, 8 V

Id - Corrente di scarico continua:

9.5 A, 6.4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

17 mOhms, 27 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

800 mV, 450 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V, 8 V

Qg - Carica cancello:

25 nC, 42 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

4.5 W, 3.1 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI4

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

29 S, 24 S

Tempo di caduta:

10 ns, 14 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

55 ns, 18 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

22 ns, 34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

16 ns, 22 ns

Parte # Alias:

SI4501BDY-GE3

Unità di peso:

0.019048 oz

Tags

SI4501B, SI4501, SI450, SI45, SI4