MRF172

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

65 V

Temperatura di esercizio minima:

- 65 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 200 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

211-07-3

Confezione:

Vassoio

Configurazione:

Separare

Frequenza operativa:

200 MHz

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttore avanzato, Inc.

Pd - Dissipazione di potenza:

220 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

40 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

5 V

Tags

MRF17, MRF1, MRF