MRFX1K80NR5

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

NXP

Categoria di prodotto:

Transistor MOSFET RF

RoHS:

Y

Polarità del transistor:

Doppio canale N

Tecnologia:

si

Id - Corrente di scarico continua:

43 A

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 500 mV, 179 V

Guadagno:

24.4 dB

Potenza di uscita:

1.8 kW

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

OM-1230-4

Confezione:

Bobina

Frequenza operativa:

1.8 MHz to 400 MHz

Serie:

MRFX1K80

Tipo:

MOSFET di potenza RF

Marca:

Semiconduttori NXP

Transconduttanza diretta - Min:

44.7 S

Numero di canali:

2 Channel

Pd - Dissipazione di potenza:

3333 W

Tipologia di prodotto:

Transistor MOSFET RF

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Vgs - Tensione Gate-Source:

- 6 V, 10 V

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.1 V

Parte # Alias:

935362678578

Tags

MRFX1K80N, MRFX1, MRFX, MRF