FDP054N10

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

144 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

5.5 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

156 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

263 W

Configurazione:

Separare

Nome depositato:

PowerTrench

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.3 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FDP054N10

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

192 S

Tempo di caduta:

39 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

92 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

44 ns

Unità di peso:

0.085398 oz

Tags

FDP05, FDP0, FDP