NVMTS0D7N06CTXG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

464 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

720 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

72 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

5 W, 294.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

250 S

Tempo di caduta:

42.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

29.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

127 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

39.7 ns

Tags

NVMTS0D7, NVMTS0D, NVMT, NVM