NVMTS0D6N04CLTXG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-88-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

554.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

420 uOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

126 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

245.4 W

Configurazione:

Singola Tripla Sorgente Quad Drain

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 N-Channel Power MOSFET

Marca:

ON Semiconductor

Transconduttanza diretta - Min:

323 S

Tempo di caduta:

84.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

111 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

180 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

89.4 ns

Tags

NVMTS0D, NVMT, NVM