IRF1104PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

100 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

9 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

62 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

170 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Altezza:

15.65 mm

Lunghezza:

10 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

Preliminare

Larghezza:

4.4 mm

Marca:

Infineon / IR

Tempo di caduta:

19 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

114 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

28 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

SP001570050

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

IRF1104P, IRF1104, IRF11, IRF1, IRF