IPL65R190E6AUMA1

IPL65R190E6AUMA1
Mfr. #:
IPL65R190E6AUMA1
Produttore:
Infineon Technologies
Descrizione:
RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 650V 20.2A VSON-4
Ciclo vitale:
Nuovo da questo produttore.
Scheda dati:
IPL65R190E6AUMA1 Scheda dati
Consegna:
DHL FedEx Ups TNT EMS
Pagamento:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
Attributo del prodotto
Valore attributo
Produttore
Tecnologie Infineon
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Confezione
Bobina
Alias ​​parziali
IPL65R190E6 SP001074938
Stile di montaggio
SMD/SMT
Pacchetto-Custodia
VSON-4
Tecnologia
si
Numero di canali
1 Channel
Configurazione
Separare
Tipo a transistor
1 N-Channel
Pd-Power-Dissipazione
151 W
Massima temperatura di esercizio
+ 150 C
Temperatura di esercizio minima
- 40 C
Tempo di caduta
10 ns
Ora di alzarsi
11 ns
Vgs-Gate-Source-Voltage
+/- 20 V
Id-Continuo-Scarico-Corrente
20.2 A
Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage
650 V
Vgs-th-Gate-Sorgente-Soglia-Tensione
3 V
Rds-On-Drain-Source-Resistenza
190 mOhms
Polarità del transistor
Canale N
Tempo di ritardo allo spegnimento tipico
112 ns
Tempo di ritardo all'accensione tipico
12 ns
Qg-Gate-Carica
73 nC
Modalità canale
Aumento
Tags
IPL65R19, IPL65R1, IPL65R, IPL65, IPL6, IPL
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
Parte # Mfg. Descrizione Azione Prezzo
IPL65R190E6AUMA1
DISTI # IPL65R190E6AUMA1-ND
Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 4VSON
RoHS: Compliant
Min Qty: 3000
Container: Tape & Reel (TR)
Limited Supply - Call
    IPL65R190E6AUMA1
    DISTI # 726-IPL65R190E6AUMA1
    Infineon Technologies AGMOSFET N-Ch 650V 20.2A VSON-4
    RoHS: Compliant
    0
      IPL65R190E6AUMA1
      DISTI # 8977551P
      Infineon Technologies AGMOSFET N-CH 650V 12.8A COOLMOSE6 VSON4, RL2995
      • 25:£1.6400
      • 100:£1.4340
      • 250:£1.3420
      • 500:£1.2800
      Immagine Parte # Descrizione
      IPL65R195C7AUMA1

      Mfr.#: IPL65R195C7AUMA1

      OMO.#: OMO-IPL65R195C7AUMA1

      MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
      IPL65R190E6AUMA1

      Mfr.#: IPL65R190E6AUMA1

      OMO.#: OMO-IPL65R190E6AUMA1

      MOSFET N-Ch 650V 20.2A VSON-4
      IPL65R190E6

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      OMO.#: OMO-IPL65R190E6-1190

      Infineon HIGH POWER_LEGACY
      IPL65R195C7

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      MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
      IPL65R195C7AUMA1

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      OMO.#: OMO-IPL65R195C7AUMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

      MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
      IPL65R190E6AUMA1

      Mfr.#: IPL65R190E6AUMA1

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      RF Bipolar Transistors MOSFET N-Ch 650V 20.2A VSON-4
      Disponibilità
      Azione:
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      0,00 USD
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      0,00 USD
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      0,00 USD
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