IRFH5250DTR2PBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

25 V

Id - Corrente di scarico continua:

40 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.2 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

39 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

3.6 W

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.83 mm

Lunghezza:

6 mm

Larghezza:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001554770

Tags

IRFH5250D, IRFH5250, IRFH525, IRFH52, IRFH5, IRFH, IRF