DMT6009LJ3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

74.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

12.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

700 mV

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

33.5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83.3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

15.7 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.6 ns

Quantità confezione di fabbrica:

75

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

35.9 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.5 ns

Tags

DMT6009, DMT600, DMT60, DMT6, DMT