2SB1201S-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

50 V

Collettore-tensione di base VCBO:

60 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

150 mV, - 300 mV

Corrente massima del collettore CC:

4 A, - 4 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SB1201

Confezione:

Massa

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

800 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

2SB1201S, 2SB1201, 2SB120, 2SB12, 2SB1, 2SB