2SC4135T-E

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-251-3

Polarità del transistor:

NPN, PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

100 V, - 100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

120 V, - 120 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

130 mV, - 220 mV

Corrente massima del collettore CC:

3 A, - 3 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SC4135

Confezione:

Massa

Marca:

ON Semiconductor

Corrente continua del collettore:

2 A

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.139332 oz

Tags

2SC4135, 2SC413, 2SC41, 2SC4, 2SC