KSB1116ALTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

T

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 60 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 0.2 V

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

120 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

400

Altezza:

5.33 mm

Lunghezza:

5.2 mm

Confezione:

Pacchetto munizioni

Larghezza:

4.19 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

- 1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

135

Pd - Dissipazione di potenza:

750 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.008466 oz

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