ZXTN5551ZTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

160 V

Collettore-tensione di base VCBO:

180 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

0.6 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

130 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTN555

Guadagno di corrente CC hFE Max:

80 at 1 mA, 5 V

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

4.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

80 at 1 mA, 5 V, 80 at 10 mA, 5 V, 30 at 50 mA, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

1200 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.001834 oz

Tags

ZXTN5, ZXTN, ZXT