ZXMN2A14FTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

4.1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

110 mOhms

Vgs - Tensione Gate-Source:

12 V

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.02 mm

Lunghezza:

3.04 mm

Serie:

ZXMN2A1

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Tipo:

MOSFET

Larghezza:

1.4 mm

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

9.5 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

5.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

16.6 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4 ns

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

ZXMN2A14FT, ZXMN2A14F, ZXMN2A1, ZXMN2A, ZXMN2, ZXMN, ZXM