DMC3016LSD-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.2 A, 6.2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

15 mOhms, 30 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

11.3 nC, 10.9 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMC3016

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

5.6 ns, 40.4 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

16.5 ns, 17.1 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

26.1 ns, 60.5 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.8 ns, 9.7 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

DMC3016LS, DMC3016, DMC301, DMC30, DMC3, DMC