TSM4ND65CI C0G

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

ITO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.6 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

16.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

41.6 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Serie:

TSM4ND65CI

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Tempo di caduta:

25 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

19 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

17 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

6 ns

Tags

TSM4ND6, TSM4ND, TSM4N, TSM4, TSM