TSM4ND65CI RLG

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Taiwan Semiconduttore

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

650 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.6 Ohms

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Serie:

TSM

Tipo di transistor:

MOSFET di potenza a canale N singolo

Marca:

Taiwan Semiconduttore

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tags

TSM4ND6, TSM4ND, TSM4N, TSM4, TSM