ZXMHC6A07N8TC

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

4 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

1.8 A, 1.42 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

250 mOhms, 400 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

3.2 nC, 5.7 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

0.87 W

Configurazione:

Quad

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

ZXMHC6

Tipo di transistor:

2 N-Channel, 2 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

2.3 S, 1.8 S

Tempo di caduta:

2 ns, 5.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

1.4 ns, 2.3 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

4.9 ns, 13 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

1.8 ns, 1.6 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

ZXMHC6, ZXMHC, ZXMH, ZXM