IRF40H210

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PQFN-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

201 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

70 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

125 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

StrongIRFET

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.83 mm

Lunghezza:

6 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

113 S

Tempo di caduta:

34 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

25 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

65 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

9.2 ns

Parte # Alias:

SP001571340

Tags

IRF40H, IRF40, IRF4, IRF