2SD2118TLR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

20 V

Collettore-tensione di base VCBO:

50 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

150 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

2SD2118

Guadagno di corrente CC hFE Max:

180 at 500 mA, 2 V

Altezza:

2.3 mm

Lunghezza:

6.5 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

5.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Guadagno base/collettore DC hfe min:

180

Pd - Dissipazione di potenza:

1000 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.011640 oz

Tags

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