2SD2170T100

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

Transistor Darlington

RoHS:

Y

Configurazione:

Separare

Polarità del transistor:

NPN

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

110 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Collettore-tensione di base VCBO:

110 V

Corrente massima del collettore CC:

2 A

Corrente massima di interruzione del collettore:

10 uA

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Bobina

Guadagno di corrente CC hFE Max:

1000

Altezza:

1.5 mm

Lunghezza:

4.5 mm

Larghezza:

2.5 mm

Marca:

Semiconduttore ROHM

Corrente continua del collettore:

2 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

1000

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

80 MHz

Tipologia di prodotto:

Transistor Darlington

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Parte # Alias:

2SD2170

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

2SD2170T, 2SD2170, 2SD217, 2SD21, 2SD2, 2SD