DMC3032LSD-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOIC-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N, Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

8.1 A, 7 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

32 Ohms, 39 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

9.2 nC, 21.1 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

2.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Prodotto:

MOSFET piccolo segnale

Serie:

DMC3032

Tipo di transistor:

1 N-Channel, 1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

2.84 ns, 22.2 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

6.18 ns, 6.5 ns

Quantità confezione di fabbrica:

2500

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

13.92 ns, 50.1 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

3.4 ns, 10.1 ns

Unità di peso:

0.002610 oz

Tags

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