ZXTP19100CZTA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-89-3

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 100 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 110 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 7 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 220 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 2 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

142 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZXTP191

Guadagno di corrente CC hFE Max:

200

Altezza:

1.6 mm

Lunghezza:

4.6 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

2.6 mm

Marca:

Diodi incorporati

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200 at 100 mA, 2 V, 70 at 1 A, 2 V, 20 at 2 A, 2 V

Pd - Dissipazione di potenza:

4460 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.004603 oz

Tags

ZXTP191, ZXTP1, ZXTP, ZXT