BCM856DS,115

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Nexperia

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SC-74-6

Polarità del transistor:

PNP

Configurazione:

Dual

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

- 65 V

Collettore-tensione di base VCBO:

- 80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

- 5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

- 200 mV

Corrente massima del collettore CC:

- 200 mA

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

175 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Guadagno di corrente CC hFE Max:

450

Altezza:

1 mm (Max)

Lunghezza:

3.1 mm (Max)

Confezione:

Bobina

Larghezza:

1.7 mm (Max)

Marca:

Nexperia

Corrente continua del collettore:

- 100 mA

Guadagno base/collettore DC hfe min:

200

Pd - Dissipazione di potenza:

380 mW

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Qualificazione:

AEC-Q101

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.000381 oz

Tags

BCM856D, BCM856, BCM85, BCM8, BCM