QS8J13TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

12 V

Id - Corrente di scarico continua:

5.5 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

15 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

60 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

QS8J13

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Transconduttanza diretta - Min:

8.5 S

Tempo di caduta:

200 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

100 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

400 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

QS8J13

Unità di peso:

0.196723 oz

Tags

QS8J1, QS8J, QS8