QS8J4TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Semiconduttore ROHM

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSMT-8

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

4 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

40 mOhms, 40 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

13 nC, 13 nC

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.5 W

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

QS8J4

Tipo di transistor:

2 P-Channel

Marca:

Semiconduttore ROHM

Tempo di caduta:

50 ns, 50 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns, 20 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

80 ns, 80 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

8 ns, 8 ns

Parte # Alias:

QS8J4

Tags

QS8J4, QS8J, QS8