HGT1S7N60C3DS

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

E

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-263AB-3

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.6 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

14 A

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

14 A

Altezza:

4.83 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Larghezza:

9.65 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

14 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 250 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

IGBT

Unità di peso:

0.056438 oz

Tags

HGT1S7N60C, HGT1S7, HGT1S, HGT1, HGT