FZT655TA

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-223-4

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

150 V

Collettore-tensione di base VCBO:

150 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

5 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

180 mV

Corrente massima del collettore CC:

1 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

30 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

FZT655

Guadagno di corrente CC hFE Max:

50

Altezza:

1.65 mm

Lunghezza:

6.7 mm

Confezione:

Bobina

Larghezza:

3.7 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

1 A

Guadagno base/collettore DC hfe min:

50 at 10 mA, 5 V, 50 at 500 mA, 5 V, 20 at 1 A, 5 V

Pd - Dissipazione di potenza:

2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

1000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.003951 oz

Tags

FZT655, FZT65, FZT6, FZT