DMN3190LDW-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SOT-363-6

Numero di canali:

2 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

1 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

190 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.8 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

320 mW

Configurazione:

Dual

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMN31

Tipo di transistor:

2 N-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Transconduttanza diretta - Min:

700 nS

Tempo di caduta:

15.6 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

8.9 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

30.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.5 ns

Unità di peso:

0.000265 oz

Tags

DMN319, DMN31, DMN3, DMN