IRF1018ESLPBF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-262-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

79 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

8.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

46 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

110 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Altezza:

9.45 mm

Lunghezza:

10.2 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.5 mm

Marca:

Infineon / IR

Transconduttanza diretta - Min:

110 S

Tempo di caduta:

46 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

35 ns

Quantità confezione di fabbrica:

50

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

55 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

13 ns

Parte # Alias:

SP001550908

Unità di peso:

0.073511 oz

Tags

IRF1018ES, IRF1018, IRF101, IRF10, IRF1, IRF