AUIRF7732S2TR

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

DirectFET-SC

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

40 V

Id - Corrente di scarico continua:

58 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.6 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2.5 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

16 V

Qg - Carica cancello:

22 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 175 C

Pd - Dissipazione di potenza:

41 W

Configurazione:

Separare

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

0.74 mm

Lunghezza:

4.85 mm

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

3.95 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

64 S

Tempo di caduta:

37 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

123 ns

Quantità confezione di fabbrica:

4800

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

SP001519174

Tags

AUIRF773, AUIRF77, AUIRF7, AUIRF, AUIR, AUI