ZTX849STZ

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

Transistor bipolari - BJT

RoHS:

Y

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-92-3

Polarità del transistor:

NPN

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

30 V

Collettore-tensione di base VCBO:

80 V

Emettitore-tensione di base VEBO:

6 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

180 mV

Corrente massima del collettore CC:

5 A

Guadagno larghezza di banda prodotto fT:

100 MHz

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Serie:

ZTX849

Altezza:

4.01 mm

Lunghezza:

4.77 mm

Confezione:

Massa

Larghezza:

2.41 mm

Marca:

Diodi incorporati

Corrente continua del collettore:

5 A

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Tipologia di prodotto:

BJT - Transistor bipolari

Quantità confezione di fabbrica:

2000

sottocategoria:

transistor

Unità di peso:

0.016000 oz

Tags

ZTX849S, ZTX849, ZTX84, ZTX8, ZTX