SISS61DN-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SiSS61DN-T1-GE3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

- 20 V

Id - Corrente di scarico continua:

- 111.9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

2.9 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

- 0.9 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

154 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Marca:

Vishay / Siliconix

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

10 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

90 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Tags

SISS6, SISS, SIS