FDMC510P-F106

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

MLP-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

18 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

6.4 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

8 V

Qg - Carica cancello:

116 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

41 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

FDMC510P

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

75 S

Tempo di caduta:

170 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

34 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

338 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns

Parte # Alias:

FDMC510P_F106

Tags

FDMC51, FDMC5, FDMC, FDM