SI7489DP-T1-GE3

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Vishay

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

SO-8

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

28 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

41 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

106 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

83 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Nome depositato:

TrenchFET

Confezione:

Bobina

Serie:

SI7

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Vishay / Siliconix

Transconduttanza diretta - Min:

38 S

Tempo di caduta:

100 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

20 ns, 160 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

100 ns, 110 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

15 ns, 42 ns

Parte # Alias:

SI7489DP-GE3

Unità di peso:

0.017870 oz

Tags

SI7489, SI748, SI74, SI7