SSM6J801R,LF

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Toshiba

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOP6F-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

20 V

Id - Corrente di scarico continua:

6 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

32.5 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

1 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

6 V, - 8 V

Qg - Carica cancello:

12.8 nC

Temperatura di esercizio minima:

-

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

3 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Toshiba

Transconduttanza diretta - Min:

4.5 S

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

107 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

32 ns

Tags

SSM6J8, SSM6J, SSM6, SSM