FDP045N10A-F102

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

100 V

Id - Corrente di scarico continua:

120 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

3.8 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

57 nC

Pd - Dissipazione di potenza:

263 W

Configurazione:

Separare

Confezione:

Tubo

Altezza:

16.3 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Serie:

FDP045N10A

Tipo di transistor:

1 N-Channel

Larghezza:

4.7 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Transconduttanza diretta - Min:

132 S

Tempo di caduta:

15 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

26 ns

Quantità confezione di fabbrica:

800

sottocategoria:

MOSFET

Parte # Alias:

FDP045N10A_F102

Unità di peso:

0.063493 oz

Tags

FDP045N10A, FDP045, FDP04, FDP0, FDP