DMP6110SVT-13

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Diodi incorporati

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

TSOT-26-6

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

60 V

Id - Corrente di scarico continua:

7.3 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

105 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

3 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

20 V

Qg - Carica cancello:

17.2 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

1.2 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Bobina

Serie:

DMP6110

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Marca:

Diodi incorporati

Tempo di caduta:

42 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

23 ns

Quantità confezione di fabbrica:

10000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

34 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

4.4 ns

Unità di peso:

0.000459 oz

Tags

DMP6110SV, DMP611, DMP61, DMP6, DMP