HGTP7N60C3D

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

ON Semiconductor

Categoria di prodotto:

Transistor IGBT

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Pacchetto/custodia:

TO-220-3

Stile di montaggio:

Foro passante

Configurazione:

Separare

Tensione collettore-emettitore VCEO Max:

600 V

Tensione di saturazione collettore-emettitore:

1.6 V

Tensione massima dell'emettitore di gate:

20 V

Corrente continua del collettore a 25 C:

14 A

Pd - Dissipazione di potenza:

60 W

Temperatura di esercizio minima:

- 40 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Confezione:

Tubo

Corrente continua del collettore Ic Max:

14 A

Altezza:

9.4 mm

Lunghezza:

10.67 mm

Larghezza:

4.83 mm

Marca:

ON Semiconductor / Fairchild

Corrente continua del collettore:

14 A

Corrente di dispersione gate-emettitore:

+/- 250 nA

Tipologia di prodotto:

Transistor IGBT

Quantità confezione di fabbrica:

400

sottocategoria:

IGBT

Parte # Alias:

HGTP7N60C3D_NL

Unità di peso:

0.211644 oz

Tags

HGTP7N60C, HGTP7, HGTP, HGT