BSS308PEH6327XTSA1

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Infineon

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

SMD/SMT

Pacchetto/custodia:

PG-SOT-23-3

Numero di canali:

1 Channel

Polarità del transistor:

Canale P

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

30 V

Id - Corrente di scarico continua:

2 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

62 mOhms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

2 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

10 V

Qg - Carica cancello:

- 5 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

500 mW (1/2 W)

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Qualificazione:

AEC-Q101

Confezione:

Bobina

Altezza:

1.1 mm

Lunghezza:

2.9 mm

Serie:

BSS308

Tipo di transistor:

1 P-Channel

Larghezza:

1.3 mm

Marca:

Tecnologie Infineon

Transconduttanza diretta - Min:

4.6 S

Tempo di caduta:

2.8 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

7.7 ns

Quantità confezione di fabbrica:

3000

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

15.3 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

5.6 ns

Parte # Alias:

BSS308PE BSS38PEH6327XT H6327 SP000928942

Unità di peso:

0.000282 oz

Tags

BSS308PEH6327X, BSS308PEH, BSS308, BSS30, BSS3, BSS