APT9M100B

Attributo del prodotto

Valore attributo

Produttore:

Microchip

Categoria di prodotto:

MOSFET

RoHS:

Y

Tecnologia:

si

Stile di montaggio:

Foro passante

Pacchetto/custodia:

TO-247-3

Polarità del transistor:

Canale N

Vds - Tensione di rottura Drain-Source:

1 kV

Id - Corrente di scarico continua:

9 A

Rds On - Resistenza Drain-Source:

1.4 Ohms

Vgs th - Tensione di soglia gate-source:

4 V

Vgs - Tensione Gate-Source:

30 V

Qg - Carica cancello:

80 nC

Temperatura di esercizio minima:

- 55 C

Temperatura massima di esercizio:

+ 150 C

Pd - Dissipazione di potenza:

335 W

Configurazione:

Separare

Modalità canale:

Aumento

Confezione:

Tubo

Marca:

Microchip / Microsemi

Transconduttanza diretta - Min:

10 S

Tempo di caduta:

10 ns

Tipologia di prodotto:

MOSFET

Ora di alzarsi:

11 ns

Quantità confezione di fabbrica:

1

sottocategoria:

MOSFET

Tempo di ritardo allo spegnimento tipico:

40 ns

Tempo di ritardo di accensione tipico:

12 ns

Unità di peso:

0.229281 oz

Tags

APT9, APT